Characterization of nitrided SiC(1 1‾ 00) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy

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标题	Characterization of nitrided SiC(1 1‾ 00) MOS structures by means of electrical measurements and X-ray photoelectron spectroscopy 用电学测量和X射线光电子能谱表征氮化SiC（11~00）MOS结构相关领域材料科学表征（材料科学）纳米技术
网址	https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S136980012...
DOI	10.1016/j.mssp.2024.108251 doi
其它	期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Takuma Kobayashi; Asato Suzuki; Takato Nakanuma; Mitsuru Sometani; Mitsuo Okamoto; et al 出版日期：2024-02-28
求助人	缥缈南风在 2024-06-28 21:22:29 发布自陕西，悬赏 10 积分
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