Evolution between Volatile and Nonvolatile Resistive Switching Behaviors in Ag/TiOx/CeOy/F-Doped SnO2 Nanostructure-Based Memristor Devices for Information Processing Applications

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标题	Evolution between Volatile and Nonvolatile Resistive Switching Behaviors in Ag/TiOx/CeOy/F-Doped SnO2 Nanostructure-Based Memristor Devices for Information Processing Applications 信息处理用Ag/TiOx/CeOy/F掺杂SnO2纳米结构忆阻器中挥发和非挥发电阻开关行为的演变相关领域记忆电阻器材料科学纳米结构电压纳米技术兴奋剂非易失性存储器磁滞光电子学纳米尺度切换时间工程物理电气工程凝聚态物理物理工程类
网址	https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsanm.3c01282#
DOI	10.1021/acsanm.3c01282 doi
求助人	zzulyy 在 2024-07-08 15:37:06 发布自河南，悬赏 10 积分
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