| 标题 |
 Development of Quaternary InAlGaN Barrier Layer for High Electron Mobility Transistor Structures 高电子迁移率晶体管结构用四元InAlGaN阻挡层的研制
相关领域
材料科学
光致发光
电子迁移率
铟
异质结
激光线宽
光电子学
化学气相沉积
电子
阻挡层
分析化学（期刊）
图层（电子）
化学
光学
纳米技术
物理
激光器
量子力学
色谱法
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Materials 作者：Justinas Jorudas; P. Prystawko; Artūr Šimukovič; R. Aleksiejūnas; J. Mickevičius; et al 出版日期：2022-01-31 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
哎嘿
爱静静
不配.
丰盛的煎饼
西红柿炒番茄
彭于彦祖
kento
加菲丰丰
好困
OnionJJ
寻道图强
HEIKU
iNk
乐乐乐乐乐乐
Cloud
ShowMaker
从容芮
Hayat
starofjlu
个性的紫菜
皖公网安备34019202002308
