Dislocation Formation During Physical Vapor Transport Growth of 4 H‐SiC Crystals

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标题	Dislocation Formation During Physical Vapor Transport Growth of 4 H‐SiC Crystals 4 H-SiC晶体物理气相输运生长过程中位错的形成相关领域位错 Crystal（编程语言）晶种晶体生长攀登薄脆饼材料科学结晶学晶体缺陷复合材料化学物理化学单晶纳米技术热力学物理计算机科学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1002/9783527824724.ch1
DOI	10.1002/9783527824724.ch1 doi
其它	期刊：作者：Noboru Ohtani 出版日期：2021-10-29
求助人	阿西吧在 2024-05-02 23:24:56 发布自湖南，悬赏 10 积分
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