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 Highly sensitive infrared polarized photodetector enabled by out-of-plane PSN architecture composing of p-MoTe2, semimetal-MoTe2 and n-SnSe2 由p-MoTe2、半金属MoTe2和n-SnSe2组成的面外PSN结构实现的高灵敏度红外偏振光探测器
相关领域
响应度
光电子学
光电探测器
半导体
材料科学
光电流
光电二极管
异质结
比探测率
肖特基势垒
红外线的
光学
物理
二极管
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| 其它 |
期刊：Nano Research 作者：Yilin Sun; Jingxian Xiong; Xing Wu; Wei Gao; Nengjie Huo; et al 出版日期：2021-12-14 |
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