RF Enhancement-Mode p-GaN Gate HEMT on 200 mm-Si Substrates

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标题	RF Enhancement-Mode p-GaN Gate HEMT on 200 mm-Si Substrates 200 mm-Si衬底上的射频增强模式p-GaN栅HEMT 相关领域高电子迁移率晶体管符号数学物理算术量子力学电压晶体管
网址	https://doi.org/10.1109/led.2022.3220693
DOI	10.1109/led.2022.3220693 doi
其它	期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yan Cheng; Yat Hon Ng; Zheyang Zheng; Kevin J. Chen 出版日期：2023-01-01
求助人	Sue kong 在 2024-10-29 15:24:21 发布，悬赏 10 积分
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