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标题
Deep-to-shallow level transition of Re and Nb dopants in monolayerMoS2with dielectric environments
介电环境下单层MoS2中Re和Nb掺杂剂的深-浅能级跃迁
相关领域
单层 掺杂剂 凝聚态物理 离域电子 库仑 电介质 材料科学 物理 电子 兴奋剂 纳米技术 量子力学
网址
https://doi.org/10.1103/physrevb.92.115431
DOI
10.1103/physrevb.92.115431 doi
其它 期刊：Physical Review B
作者：Ji-Young Noh; Hanchul Kim; Minkyu Park; Yong‐Sung Kim
出版日期：2015-09-21
求助人
狐狸 在 2024-12-21 09:23:37 发布自江苏，悬赏 10 积分
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