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 GaN HEMTs on Si With Regrown Contacts and Cutoff/Maximum Oscillation Frequencies of 250/204 GHz Si上的GaN HEMTs具有再生长触点，截止/最大振荡频率为250/204GHz
相关领域
高电子迁移率晶体管
跨导
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Lei Li; Kazuki Nomoto; Ming Pan; Wenshen Li; Austin Hickman; et al 出版日期：2020-05-01 |
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