标题 |
Efficient ab initio analysis of quantum confinement and band structure effects in ultra-scaled Si1−xGex gate-all-around and fin field-effect transistors for sub-10 nm technology nodes
亚10 nm技术节点超尺度Si1-xGex全栅极和鳍状场效应晶体管量子限制和能带结构效应的高效从头算分析
相关领域
量子点
量子隧道
材料科学
从头算
带隙
晶体管
密度泛函理论
光电子学
场效应晶体管
凝聚态物理
阈值电压
计算物理学
物理
电压
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Computational Electronics 作者:Jie Liu; Chuanxiang Tang; Pinghui Mo; Jiwu Lu 出版日期:2018-07-19 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|