标题 |
In Situ Implanting of Single Tungsten Sites into Defective UiO‐66(Zr) by Solvent‐Free Route for Efficient Oxidative Desulfurization at Room Temperature
通过无溶剂途径在缺陷UiO-66(Zr)中原位植入单个钨位点,实现室温下的高效氧化脱硫
相关领域
钨
催化作用
烟气脱硫
硫黄
原位
溶剂
化学工程
材料科学
同种类的
Atom(片上系统)
无机化学
化学
组合化学
有机化学
嵌入式系统
工程类
物理
热力学
计算机科学
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其它 |
期刊:Angewandte Chemie 作者:Gan Ye; Hanlu Wang; Wenxing Chen; Hongqi Chu; Jinshan Wei; et al 出版日期:2021-06-14 |
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