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High Restore Yield NVSRAM Structures With Dual Complementary RRAM Devices for High-Speed Applications
具有双互补RRAM器件的高恢复产量NVSRAM结构,适用于高速应用
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期刊:IEEE Transactions on Very Large Scale Integration (VLSI) Systems 作者:Zhiting Lin; Chen Min; Peng Sun; Xiulong Wu; Qiang Zhao; et al 出版日期:2023-02-14 |
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