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 Bias temperature instability in SiC metal oxide semiconductor devices SiC金属氧化物半导体器件的偏置温度不稳定性
相关领域
材料科学
金属
光电子学
氧化物
工程物理
半导体
不稳定性
凝聚态物理
冶金
物理
机械
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期刊：Journal of Physics D 作者：Chao Yang; Shengsheng Wei; Dejun Wang 出版日期：2021-01-19 |
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