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 Positron annihilation spectroscopy guided by two-component density functional theory calculations distinguishes irradiation-induced vacancy type in 4H-SiC 由双组分密度泛函理论计算指导的正电子湮没谱区分4H-SiC中辐照诱导的空位类型
相关领域
正电子湮没谱学
空位缺陷
正电子湮没
密度泛函理论
材料科学
光谱学
正电子寿命谱学
辐照
消灭
正电子
原子物理学
组分（热力学）
分子物理学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Jian Li; Jianrong Sun; Yinan Tian; Wei Zhang; Hailong Chang; et al 出版日期：2024-10-14 |
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