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 Vertical Silicon p-n-p-n Tunnel nMOSFET With MBE-Grown Tunneling Junction 具有MBE生长隧道结的垂直硅p-n-p-n隧道nMOS
相关领域
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掺杂剂
硅
材料科学
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Ahmet Tura; Zhenning Zhang; Peichi Liu; Ya‐Hong Xie; Jason C. S. Woo 出版日期：2011-05-20 |
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