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 Engineering oxygen vacancy-induced interface trap memristive effect in selenium-implanted gallium oxide 硒注入氧化镓中氧空位诱导的界面陷阱忆阻效应
相关领域
镓
硒
材料科学
空位缺陷
存水弯（水管）
氧化物
氧气
离子注入
光电子学
纳米技术
离子
化学
冶金
结晶学
物理
有机化学
气象学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yimin Liao; Zhigao Xie; Hanzhao Song; Jierui Xue; Chee-Keong Tan 出版日期：2024-11-04 |
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