| 标题 |
 The Concept of “Threshold Voltage” in Organic Field-Effect Transistors 有机场效应晶体管中“阈值电压”的概念
相关领域
材料科学
阈值电压
薄膜晶体管
光电子学
晶体管
非晶硅
无定形固体
电压
场效应晶体管
场效应
电子迁移率
硅
纳米技术
电气工程
晶体硅
结晶学
化学
工程类
图层（电子）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Gilles Horowitz; Riadh Hajlaoui; H. Bouchriha; R. Bourguiga; Mohcen Hajlaoui 出版日期：1998-08-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
薰硝壤
Singularity
Leonardi
从容芮
pluto
paparazzi221
HEIKU
完美的天空
pcr163
ONESTUD
寻道图强
rosalieshi
彳亍1117
咖啡豆
一一
tuanheqi
陈军
可靠的书桃
yufanhui
皖公网安备34019202002308
