标题 |
GaN-UV photodetector integrated with asymmetric metal semiconductor metal structure for enhanced responsivity
集成非对称金属半导体金属结构的GaN-紫外光探测器,以增强响应性
相关领域
响应度
光电探测器
材料科学
光电子学
紫外线
光探测
肖特基势垒
半导体
肖特基二极管
二极管
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其它 |
期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics 作者:Shubhendra Kumar Jain; Neha Aggarwal; Shibin Krishna; Rahul Kumar; Sudhir Husale; et al 出版日期:2018-03-17 |
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