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 Mg dopant induced ultra-high HRS resistance and striking switching window characteristics in amorphous Y2O3 film-based memristors Mg掺杂诱导非晶Y2O3膜忆阻器的超高HRS电阻和惊人的开关窗口特性
相关领域
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无定形固体
光电子学
兴奋剂
电阻随机存取存储器
纳米技术
热稳定性
电子工程
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工程类
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Yuanyuan Zhu; Zicong Guo; Mengyao Chen; Pan Zhang; Peng Shao; et al 出版日期：2023-08-21 |
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