Improved resistive switching characteristics of a multi-stacked HfO2/Al2O3/HfO2 RRAM structure for neuromorphic and synaptic applications: experimental and computational study

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标题	Improved resistive switching characteristics of a multi-stacked HfO2/Al2O3/HfO2 RRAM structure for neuromorphic and synaptic applications: experimental and computational study 相关领域电阻随机存取存储器材料科学原子层沉积堆积高分辨率透射电子显微镜光电子学氧化铟锡偏压分析化学（期刊）纳米技术图层（电子）透射电子显微镜电极电压化学电气工程物理化学工程类有机化学色谱法
网址	https://doi.org/10.1039/d1ra08103a
DOI	10.1039/d1ra08103a doi
其它	期刊：RSC Advances 作者：Ejaz Ahmad Khera; Chandreswar Mahata; Muhammad Imran; Niaz Ahmad Niaz; Fayyaz Hussain; et al 出版日期：2022
求助人	是阿水啊在 2022-04-22 17:52:09 发布，悬赏 20 积分
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