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Enhanced Performance of WS 2 Field‐Effect Transistor through Mono and Bilayer h‐BN Tunneling Contacts
相关领域
材料科学
接触电阻
肖特基势垒
量子隧道
单层
二硫化钨
工作职能
半导体
二硒化钨
氮化硼
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场效应晶体管
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期刊:Small 作者:Nhat Anh Nguyen Phan; Hwayong Noh; Jihoon Kim; Yewon Kim; Hanul Kim; et al 出版日期:2022-02-03 |
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