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Ag/HfO2 based threshold switch with extreme non-linearity for unipolar cross-point memory and steep-slope phase-FETs
相关领域
线性
材料科学
陡坡
相(物质)
光电子学
电气工程
物理
地质学
工程类
岩土工程
量子力学
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其它 |
期刊:International Electron Devices Meeting 作者:Nikhil Shukla; Benjamin Grisafe; Ram Krishna Ghosh; Nicholas Jao; Ahmedullah Aziz; et al 出版日期:2016-12-01 |
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