标题 |
Floating Body Ring Termination for Trench Field Plate Power MOSFETs
相关领域
材料科学
沟槽
光电子学
功率MOSFET
电压
MOSFET
电气工程
功率(物理)
击穿电压
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网址 | |
DOI |
10.1109/ispsd46842.2020.9170111
doi
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其它 |
期刊:2020 32nd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) 作者:Tanuj Saxena; Vishnu Khemka; Bernhard Grote; Ganming Qin; Moaniss Zitouni 出版日期:2020-08-19 |
求助人 |
ppboyindream 在
2020-08-21 09:31:36 发布,悬赏 10 积分
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