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[高分] Technical Trends in Next-Generation GaN RF Power Devices and Integrated Circuits
相关领域
功率(物理) 电子线路 氮化镓 光电子学 功率半导体器件 无线电频率 晶体管 放大器 材料科学 单片微波集成电路 数码产品 电子工程
网址
DOI
10.22648/etri.2019.j.340507 doi
其它 期刊:Electronics and Telecommunications Trends, v.34 no.5, pp.71-80
作者:Lee Sang-Heung; Jong-Won Lim; Dong Min Kang; 백용순
出版日期:2019-01-01
求助人
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