| 标题 |
 Amorphous ZrO2 Tunnel Junction Memristor With a Tunneling Electroresistance Ratio Above 400 相关领域
材料科学
量子隧道
记忆电阻器
电阻随机存取存储器
光电子学
非易失性存储器
电压
凝聚态物理
神经形态工程学
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| DOI | |
| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Fenning Liu; Yue Peng; Yan Liu; Genquan Han; Wenwu Xiao; et al 出版日期：2021 |
| 求助人 |
全职划水运动员 在
2022-04-03 17:47:32 发布，悬赏 10 积分
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