| 标题 |
 1.3 kV Vertical GaN-Based Trench MOSFETs on 4-Inch Free Standing GaN Wafer 相关领域
材料科学
光电子学
击穿电压
氮化镓
沟槽
钝化
薄脆饼
工艺CAD
阈值电压
基质（水族馆）
电子工程
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| 其它 |
期刊：Nanoscale Research Letters 作者：Wei He; Jian Li; Zeliang Liao; Feng Lin; Junye Wu; et al 出版日期：2022 |
| 求助人 |
研友_Z7m7lL 在
2022-01-28 22:51:35 发布，悬赏 10 积分
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