Fabrication of nanodamascene metallic single electron transistors with atomic layer deposition of tunnel barrier

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标题	Fabrication of nanodamascene metallic single electron transistors with atomic layer deposition of tunnel barrier 相关领域制作晶体管原子层沉积材料科学电子束光刻抛光平版印刷术图层（电子）沉积（地质）光电子学隧道枢纽电子化学机械平面化纳米技术阻挡层抵抗量子隧道复合材料电气工程物理电压古生物学病理医学量子力学生物替代医学沉积物工程类
网址	https://doi.org/10.1116/1.4932156
DOI	10.1116/1.4932156 doi
其它	期刊：Journal of vacuum science and technology 作者：Golnaz Karbasian; Alexei O. Orlov; Gregory L. Snider 出版日期：2015-10-05
求助人	陈陈在 2023-03-10 10:51:29 发布，悬赏 10 积分
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