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标题
High performance InAlN/GaN high electron mobility transistors for low voltage applications*
适用于低压应用的高性能InAlN/GaN高电子迁移率晶体管*
相关领域
跨导 材料科学 高电子迁移率晶体管 光电子学 晶体管 击穿电压 阈值电压 电压 低压 功率密度 功率（物理） 电气工程 物理 量子力学 工程类
网址
https://doi.org/10.1088/1674-1056/ab821e
DOI
10.1088/1674-1056/ab821e doi
其它 期刊：Chinese Physics B
作者：Minhan Mi; Meng Zhang; Sheng Wu; Ling Yang; Bin Hou; et al
出版日期：2020-03-23
求助人
ZZZ 在 2024-11-28 20:56:25 发布自广东，悬赏 10 积分
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