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标题
High-Voltage E-Mode p-GaN Gate HEMT on Sapphire With Gate Termination Extension
具有栅极终端扩展的蓝宝石上高压E模式p-GaN栅极HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管 符号 数学 物理 算术 晶体管 量子力学 电压
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3359174
DOI
10.1109/ted.2024.3359174 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Jiawei Cui; Yanlin Wu; Junjie Yang; Jingjing Yu; Teng Li; et al
出版日期：2024-02-07
求助人
小菜鸟 在 2025-02-07 14:52:44 发布自广东，悬赏 10 积分
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