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 Ballistic transport in sub-10 nm monolayer InAs transistors for high-performance applications 用于高性能应用的亚10 nm单层InAs晶体管中的弹道输运
相关领域
单层
晶体管
材料科学
光电子学
弹道传导
纳米技术
物理
量子力学
电压
电子
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| 其它 |
期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Tengfei Xie; Yuliang Mao 出版日期：2024-01-01 |
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