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High-performance AlGaN/GaN HEMTs with Hf0.5Zr0.5O2-based ferroelectric gate by pulsed laser deposition
脉冲激光沉积Hf0.5Zr 0.5 O2基铁电栅极高性能AlGaN/GaN HEMT
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Chuanqi Liu; Zhangqing Zhu; Peijie Jiao; 光男 高橋; Lin Hao; et al 出版日期:2024-12-09 |
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