标题 |
Metal to semiconductor transition of two-dimensional NbSe2 through hydrogen adsorption: A first-principles study
二维NbSe2通过氢吸附金属到半导体转变的第一性原理研究
相关领域
材料科学
激子
带隙
半导体
凝聚态物理
各向同性
光电子学
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化学
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物理
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期刊:Journal of Applied Physics 作者:Keat Hoe Yeoh; Khian-Hooi Chew; Tiem Leong Yoon; Rusi; Yee Hui Robin Chang; et al 出版日期:2020-09-08 |
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