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Bandgap Engineering of BiIns Nanowire for Wide‐Spectrum, High‐Responsivity, and Polarimetric‐Sensitive Detection
用于宽光谱、高响应度和极化敏感探测的BiIns纳米线带隙工程
相关领域
材料科学
响应度
光电探测器
光电子学
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半导体
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散射
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期刊:Advanced Functional Materials 作者:Fen Zhang; Zhangxun Mo; Baocheng Cui; Shuo Liu; Qinglin Xia; et al 出版日期:2023-07-24 |
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