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标题
Annealing induced carrier activation and PL enhancement in Ge-on-Si grown by low temperature MBE
退火诱导低温MBE生长Ge-on-Si中载流子激活和PL增强
相关领域
退火（玻璃） 掺杂剂 光致发光 分子束外延 分析化学（期刊） 材料科学 兴奋剂 掺杂剂活化 霍尔效应 二次离子质谱法 结晶学 外延 化学 光电子学 电阻率和电导率 离子 纳米技术 冶金 电气工程 工程类 有机化学 图层（电子） 色谱法
网址
https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2022.126668
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2022.126668 doi
其它 期刊：Journal of Crystal Growth
作者：Rui Pan; Ziyuan Yuan; Kedong Zhang; Jinshan Yao; Chen Li; et al
出版日期：2022-04-12
求助人
鲸落 在 2025-03-06 14:45:39 发布自上海，悬赏 10 积分
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