| 标题 |
 Ultralow Voltage Operation of p‐ and n‐FETs Enabled by Self‐Formed Gate Dielectric and Metal Contacts on 2D Tellurium 二维碲上自形成栅极电介质和金属触点实现p-和n-FET的超低电压工作
相关领域
材料科学
光电子学
电介质
半导体
双极扩散
晶体管
电容
栅极电介质
场效应晶体管
纳米技术
电压
电气工程
电子
电极
工程类
化学
物理
物理化学
量子力学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Advanced Materials 作者：Chang Niu; Linjia Long; Yizhi Zhang; Zehao Lin; Pukun Tan; et al 出版日期：2025-04-08 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
昏睡的蟠桃
冰魂
cdercder
pluto
归尘
SYLH
sutharsons
zmnzmnzmn
科研助手6
iNk
科研小民工
bc
文献看不懂
8R60d8
震震
back you up
过时的奇迹
kingwill
顺心香菇
平常的毛豆
皖公网安备34019202002308
