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 Quasi-2D high mobility channel E-mode β -Ga2O3 MOSFET with Johnson FOM of 7.56 THz·V Johnson FOM为7.56 THz·V的准二维高迁移率沟道E型β-Ga2O3 MOSFET
相关领域
MOSFET
频道（广播）
光电子学
电子迁移率
物理
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Xichen Wang; Xiaoli Lu; Yunlong He; Fang Zhang; Yu Shao; et al 出版日期：2024-08-05 |
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