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 Advancing Monolayer 2-D nMOS and pMOS Transistor Integration From Growth to Van Der Waals Interface Engineering for Ultimate CMOS Scaling 推进单层2-D nMOS和pMOS晶体管集成从生长到范德华界面工程，以实现最终的CMOS缩放
相关领域
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材料科学
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电压
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：C. J. Dorow; Kevin O’Brien; Carl H. Naylor; Sudarat Lee; Ashish Verma Penumatcha; et al 出版日期：2021-10-20 |
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