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Experimental Study and Comparison of Switching Loss Behavior of Si IGBT and SiC MOSFET in Dual Active Bridge Series Resonant Converter
双有源桥串联谐振变换器中Si IGBT和SiC MOSFET开关损耗行为的实验研究与比较
相关领域
绝缘栅双极晶体管
MOSFET
材料科学
功率损耗
切换时间
拓扑(电路)
电气工程
系列(地层学)
计算机科学
电子工程
光电子学
晶体管
电压
工程类
古生物学
生物
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期刊: 作者:Onkar Bhakare; Kousik Ghosh; Surja Sekhar Chakraborty; Kamalesh Hatua 出版日期:2023-06-06 |
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