Experimental Study and Comparison of Switching Loss Behavior of Si IGBT and SiC MOSFET in Dual Active Bridge Series Resonant Converter

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标题	Experimental Study and Comparison of Switching Loss Behavior of Si IGBT and SiC MOSFET in Dual Active Bridge Series Resonant Converter 双有源桥串联谐振变换器中Si IGBT和SiC MOSFET开关损耗行为的实验研究与比较相关领域绝缘栅双极晶体管 MOSFET 材料科学功率损耗切换时间拓扑（电路）电气工程系列（地层学）计算机科学电子工程光电子学晶体管电压工程类生物古生物学
网址	https://doi.org/10.1109/eeeic/icpseurope57605.2023.10194837
DOI	10.1109/eeeic/icpseurope57605.2023.10194837 doi
其它	期刊：作者：Onkar Bhakare; Kousik Ghosh; Surja Sekhar Chakraborty; Kamalesh Hatua 出版日期：2023-06-06
求助人	沉静野狼在 2024-08-22 16:48:21 发布自江苏，悬赏 10 积分
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