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 CMOS integration of high-k/metal gate transistors in diffusion and gate replacement (D&GR) scheme for dynamic random access memory peripheral circuits 动态随机存取存储器外围电路扩散和栅极替换（D&GR）方案中高k/金属栅极晶体管的CMOS集成
相关领域
CMOS芯片
金属浇口
德拉姆
晶体管
材料科学
动态随机存取存储器
栅氧化层
光电子学
泄漏（经济）
阈值电压
电气工程
集成电路
MOSFET
场效应晶体管
电子工程
电压
工程类
半导体存储器
经济
宏观经济学
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期刊：Japanese journal of applied physics 作者：E. Dentoni Litta; R. Ritzenthaler; T. Schram; A. Spessot; Barry O’Sullivan; et al 出版日期：2018-03-16 |
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