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 Investigation of Sub-20nm 4th generation DRAM cell transistor's parasitic resistance and scalable methodology for Sub-20nm era 亚20nm第四代DRAM单元晶体管寄生电阻及亚20nm扩展方法研究
相关领域
德拉姆
材料科学
接触电阻
光电子学
寄生元件
泄漏（经济）
可扩展性
晶体管
薄脆饼
电子工程
计算机科学
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宏观经济学
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期刊： 作者：Seonghoon Jeong; Jin-Seong Lee; Jiuk Jang; Jooncheol Kim; Hyun Young Shin; et al 出版日期：2023-03-01 |
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