Atomic layer deposition of SiO2 for the performance enhancement of fin field effect transistors

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标题	Atomic layer deposition of SiO2 for the performance enhancement of fin field effect transistors 原子层沉积SiO2提高鳍状场效应晶体管性能相关领域原子层沉积材料科学沉积（地质）硅烷场效应晶体管光电子学纳米技术图层（电子）晶体管鳍硅复合材料电气工程古生物学工程类电压沉积物生物
网址	https://doi.org/10.7567/jjap.52.116503
DOI	10.7567/jjap.52.116503 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Kazuhiko Endo; Yuki Ishikawa; Takashi Matsukawa; Yongxun Liu; Shin Ichi O'uchi; et al 出版日期：2013-11-01
求助人	落寞松鼠在 2024-07-24 13:54:15 发布自山东，悬赏 10 积分
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@善学以致用 20240724135420-7090cc2e-315.pdf (4 MB)

您好，标题错误，麻烦重新上传
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落寞松鼠求助人 Lv1 驳回了善学以致用上传的文件

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抱歉驳回。标题错误，非求助文件
6个月前

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6个月前

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