The effect of high resistivity AlOδ layer on low-power consumption of TaOx based resistive switching memory

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标题	The effect of high resistivity AlOδ layer on low-power consumption of TaOx based resistive switching memory 高阻AlOδ层对TaOx基阻性开关存储器低功耗的影响相关领域材料科学图层（电子）电阻随机存取存储器氧气电极化学纳米技术物理化学有机化学
网址	https://doi.org/10.1016/j.vacuum.2020.109186
DOI	10.1016/j.vacuum.2020.109186 doi
其它	期刊：Vacuum 作者：Jinshi Zhao; Chen Wang; Yu Yan; Yu Ting Chen; Wen Sun; et al 出版日期：2020-04-01
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