Enhanced performance of an AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode using a p+-GaN/SiO2/ITO tunnel junction

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标题	Enhanced performance of an AlGaN-based deep ultraviolet light-emitting diode using a p+-GaN/SiO2/ITO tunnel junction 利用p+-GaN/SiO2/ITO隧道结提高AlGaN基深紫外发光二极管的性能相关领域材料科学光电子学量子效率紫外线二极管电场发光二极管隧道枢纽量子隧道光学波长物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1364/ol.448632
DOI	10.1364/ol.448632 doi
其它	期刊：Optics Letters 作者：Jiamang Che; Hua Shao; Chunshuang Chu; Qingqing Li; Yonghui Zhang; et al 出版日期：2022-01-10
求助人	薛定谔的猫在 2024-05-29 15:51:08 发布自广东，悬赏 10 积分
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