| 标题 |
 Performance enhancement of partially and fully depleted strained-SOI MOSFETs 部分耗尽和全耗尽的应变绝缘体MOSICS的性能增强
相关领域
绝缘体上的硅
材料科学
光电子学
MOSFET
锗
基质（水族馆）
硅
兴奋剂
应变硅
电气工程
晶体管
电压
晶体硅
工程类
海洋学
非晶硅
地质学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 该求助完结已超 24 小时，文件已从服务器自动删除，无法下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
Hayat
寻道图强
爱静静
SinU
Singularity
HEIKU
吃不饱星球球长
自由的青亦
美好乐松
SciGPT
OCDer
高大凌寒
从容芮
shinysparrow
银色的喵咪
有人
CH
加湿器
Chloe
InfoNinja
皖公网安备34019202002308
