标题 |
Optimization of Gate-Head-Top/Bottom Lengths of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with a Gate-Recessed Structure for High-Power Operations: A Simulation Study
用于高功率工作的具有栅极凹陷结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的栅极头顶/底长度的优化:模拟研究
相关领域
高电子迁移率晶体管
材料科学
击穿电压
光电子学
截止频率
晶体管
和大门
阈值电压
电压
逻辑门
电气工程
工程类
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其它 |
期刊:Micromachines 作者:Woo‐Seok Kang; Ji Sun Choi; Dohyung Kim; Ji-Hun Kim; Jun-Ho Lee; et al 出版日期:2023-12-27 |
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