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 Highly selective isotropic chemical dry etching for gate-all-around devices: nanosheet, forksheet and complementary FETs 全栅器件的高选择性各向同性化学干法刻蚀：纳米片、叉片和互补场效应晶体管
相关领域
材料科学
纳米片
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期刊： 作者：Y. Muraki; Yusuke Oniki; P. Puttarame Gowda; Efraín Altamirano-Sánchez; Hans Mertens; et al 出版日期：2022-06-13 |
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