Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on Defect Density

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标题	Device Simulation of Grain Boundaries in Lightly Doped Polysilicon Films and Analysis of Dependence on Defect Density 轻掺杂多晶硅薄膜晶界的器件模拟及缺陷密度依赖性分析相关领域晶界材料科学矩形势垒兴奋剂凝聚态物理粒度载流子热传导空间电荷态密度耗尽区费米能级电荷密度光电子学复合材料电子微观结构半导体物理量子力学
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.40.49
DOI	10.1143/jjap.40.49 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Mutsumi Kimura; Satoshi Inoue; Tatsuya Shimoda; Toshiyuki Sameshima 出版日期：2001-01-01
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