Electromigration Reliability of Barrierless Ruthenium and Molybdenum for Sub-10 nm Interconnection

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标题	Electromigration Reliability of Barrierless Ruthenium and Molybdenum for Sub-10 nm Interconnection 用于亚10nm互连的无势垒钌和钼的电迁移可靠性相关领域电迁移互连材料科学可靠性（半导体）平均故障间隔时间钼光电子学制作复合材料可靠性工程计算机科学冶金故障率医学计算机网络功率（物理）物理替代医学病理量子力学工程类
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.3c00070
DOI	10.1021/acsaelm.3c00070 doi
其它	期刊：ACS applied electronic materials 作者：Jungkyun Kim; Hakseung Rhee; Myeong Won Son; Juseong Park; Gwangmin Kim; et al 出版日期：2023-04-26
求助人	雪儿在 2024-07-03 11:25:36 发布自广东，悬赏 10 积分
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