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 Performance and stability improvement of CVD monolayer MoS2 transistors through HfO2 dielectrics engineering 通过HfO2电介质工程提高CVD单层MoS2晶体管的性能和稳定性
相关领域
钝化
材料科学
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Chunhui Huang; Zeyi Yan; Chengwei Hu; Xiong Xiong; Yanqing Wu 出版日期：2023-08-14 |
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