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标题
Accurate evaluation of fast threshold voltage shift for SiC MOS devices under various gate bias stress conditions
各种栅极偏压条件下SiC MOS器件快速阈值电压漂移的精确评估
相关领域
材料科学 阈值电压 碳化硅 光电子学 MOSFET 压力（语言学） 晶体管 脉搏（音乐） 电压 电气工程 复合材料 语言学 工程类 哲学
网址
http://stacks.iop.org/1347-4065/57/i=4S/a=04FA07/pdf
DOI
10.7567/jjap.57.04fa07 doi
其它 期刊：Japanese Journal of Applied Physics
作者：Mitsuru Sometani; Mitsuo Okamoto; Tetsuo Hatakeyama; Yohei Iwahashi; Mariko Hayashi; et al
出版日期：2018-03-23
求助人
ZYH 在 2024-12-28 21:59:47 发布自上海，悬赏 10 积分
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