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 Material and electronic properties of boron-doped silicon films deposited from SiH4BCl3N2 mixtures in an industrial low pressure chemical vapour deposition furnace 工业低压化学蒸气沉积炉中由SiH 4、BCl3、N2混合物沉积的掺氟硅薄膜的材料和电子性质
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期刊：Thin Solid Films 作者：D. Bielle-Daspet; E. Scheid; C. Azzaro; B. de Mauduit; B. Pieraggi 出版日期：1991-09-01 |
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